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Si5440DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.05
0.04
I D = 9.1 A
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.03
T J = 125 °C
0.02
T J = 25 °C
0.01
1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.2
2.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μA
1. 8
30
1.6
20
1.4
1.2
10
1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
1s
10 s
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
DC
0.01
0.1 1 10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69056
S-83037-Rev. A, 22-Dec-08
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